RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3165
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link