RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link