RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link