RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link