RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link