RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2930
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link