RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link