RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link