RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3040
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link