RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3423
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link