RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link