RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Сравнения RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link