RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link