RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link