RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link