RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3405
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link