RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1679
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link