RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link