RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link