RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link