RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3446
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link