RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link