RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link