RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link