RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link