RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 30
    Около 20% меньшая задержка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.4 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 14.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3327

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
модули RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
модули RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
модули RAM
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
модули RAM