RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link