RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link