RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2468
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link