RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link