RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link