RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
83
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
83
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link