RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U139C4P2-S01S 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link