RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link