RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link