RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM3X8GB1600C11N2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link