RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link