RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link