RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2388
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link