RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2510
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link