RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link