RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link