RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link