RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link