RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link