RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link