RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link