RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    24.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.6 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 24.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 16.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4001

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
модули RAM