RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3567
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link