RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link